膜厚儀/橢偏儀/真空鍍膜/蝕刻 / 稜鏡耦合儀/雷射測厚Metricon

2010/M菱/稜鏡耦合儀/雷射厚度waveguide量測儀

2010/M 稜鏡耦合儀薄膜折射率waveguide量測

專業雷射厚度量測厚膜膜層之厚度和折射率量測waveguide波導量測不僅可量測薄膜膜厚,更可量測bulk材料,waveguide量測,適用各式光波導waveguide材料、通訊波導、光學薄膜等


2010/M 稜鏡耦合儀
*Waveguide loss量測


*提供TM或TE量測


*折射率對溫度的變化



 

 

2010/M菱/稜鏡耦合儀/雷射厚度waveguide量測儀

2010/M 菱/稜鏡耦合儀/雷射厚度waveguide量測儀主要規格

  • 折射率準確度:±0.0005(甚至更高 0.0001-0.0002)
  • 折射率分辨率:±0.0003(甚至高於0.00005)
  • 厚度精度:±(0.5%+50Å) 厚度分辨率:±0.3%
  • 薄膜折射率量測範圍:1.0-3.35
  • 操作波長:632.8nm、1310nm、1550nm及其它可見光/近紅外光
  • 適用的基底材料:矽、砷化鎵、玻璃、石英、GGG、鋰酸鈮等
  • 軟體: 操作軟體工作於Windows 98,2000,XP,Vista或win 7
  • waveguide波導量測
膜類型/指數
厚度和折射率**
厚度僅為
(假設指數)
Silicon dioxide (n=l.46) or PMMA (n ~1.5) over Si
0.48-15μ
0.20-0.48μ**
Photoresist (n=l.63) over Si
0.42-15μ
0.18-0.42μ**
Photoresist (n=l.63) over SiO2 or glass
0.70-15μ
0.30-0.70μ**
 Alumina or polyimide (n=l.70) over Si
0.38-15μ
0.15-0.38μ**
 Alumina or polyimide (n=l.70) over SiO2 or glass*
0.50-15μ
0.16-0.50μ**
 Si oxynitride (n=l.80) over Si 
0.35-15μ
0.14-0.35μ**
Si oxynitride (n=l.80) over SiO2 or glass 
0.45-15μ
0.13-0.45μ**
Ta2O5 or Si nitride (n=2.05) over Si 
0.32-15μ
0.12-0.32μ**
Ta2O5 or Si nitride (n=2.05) over SiO2 or glass
0.30-15μ
0.15-0.30μ
高折射率膜在基材或較低折射率比二氧化矽等的底層膜是有時可測量在厚度達一半薄如上面的限制。擇更短的波長,也可在測量範圍延伸到較薄的膜。請諮詢Metricon的細節。
**對於膜超出最大厚度極限,指數仍在衡量使用批量測量。與VAMFO選項,非接觸厚度僅測量可以對薄膜的厚度為150μ製成
  • 膜類型/厚度範圍可測量: waveguide波導

 2010/M 菱/稜鏡耦合儀/雷射厚度waveguide量測儀
詳情請洽業務

2010/M 菱/稜鏡耦合儀/雷射厚度waveguide量測儀主要應用領域

  • 光波導器件
  • 雷射晶體材料
  • 聚合物材料
  • 顯示技術材料
  • 光/磁儲存材料
  • 光學薄膜折射率量測
  • waveguide

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