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無掩模板紫外光刻機TTT-07-UV(標準版)
    發布時間: 2020-08-25 11:48    
TuoTuo
TuoTuo
當代整合電路的發展進程中,紫外光刻技術起著不可替代的作用。利用紫外光源對紫外敏感的光刻膠進行空間選擇性的曝光,進而將設計好電路版圖轉移到矽片上形成集成電路,這一工藝就是紫外光刻技術。光刻機的分辨率和套刻精度直接決定了所製造的集成電路的集成度,也成為了評價光刻設備品質的關鍵指標。
常規光刻機需要訂製光學掩模板,不但價格高,且靈活性差。任何設計上的變動,都需要重新製造掩模板。雷射直寫設備具備很高的靈活性,且可以達到較高的精度,但由於是逐行掃描,曝光效率較低。近些年,基於空間光調製器(DMD/DLP)的技術在紫外曝光方面獲得了長足的進展。 TTT-07-UV litho無掩模板紫外光刻機最小分辨率可達1 µm(50X物鏡),高性能運動電機保證了100nm的套刻精度和最大6英寸的圖形拼接,而基於空間光調製器的光刻技術,使得其在光學掩模板設計上有著得天獨厚的優勢。高效、靈活、高分辨率和高套刻精度等眾多優點,必將使其成為二維材料、電輸運測試,光電測試、太赫茲器件和毫米波器件等領域的科研利器。

TTT-07-UV litho無掩模板紫外光刻機 主要參數
  • 曝光波長1:385nm(不低於14瓦)/405nm(不低於18瓦)
  • 曝光精度:5X物鏡 8µm(確保值);20X物鏡 2µm(確保值);50X物鏡 1µm(確保值), 0.6µm(可達到)
  • 單次最大曝光面積:5X物鏡 2mm×2mm;20X物鏡 0.5mm×0.5mm;50X物鏡 0.2mm×0.2mm
  • 精準套刻:有
  • 套刻對準精度:100nm
  • 套刻指引:460nm/520nm/620nm
  • 曝光均勻性:畫幅內優於85%
  • 支持基片尺寸2:5mm×5mm(最小);150mm×150mm(最大)
  • 拼接台行程3:25mm,100mm,150mm 可選
  • 絕對精度:±1µm
  • 位移台類型:反饋線性平台(無回程差)
  • 軟體:基於LabView的全自動軟體
  • 設備尺寸:70cm×70cm×70cm
  • 設備重量:100千克
  • 設備外殼:UV防護外殼
備註: 1、兩個波長二選其一 2、支持基片尺寸默認4英寸 3、請確認行程要求 
TTT-07-UV litho無掩模板紫外光刻機 特點:
  • 高精度、真紫外曝光
  • 光刻圖案設計靈活
  • 所見即所得的精準套刻
  • 超大面積拼接
  • 灰度曝光
  • 高穩定性,操作便捷
TTT-07-UV litho無掩模板紫外光刻機 應用:
  • 微納結構曝光
  • 電輸運測試/光電測試器件
  • 二維材料的電極搭建
  • 太赫茲/毫米波器件製備
  • 光學掩模板的製作
服務熱線:886-2-2655-2200  業務咨詢:151 / 維修校正:185
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