多晶片式 SiNx 薄膜陣列

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多晶片式 SiNx 薄膜陣列

發布時間: 2023-03-22 15:58

Norcada

Multichip Array器件包含多個SiNx膜晶片，這些晶片被固定在一個支撐框架內。這種排列方式允許對SiNx膜進行並行處理，以實現樣品之間的高均一性。Multichips非常適合旋轉塗覆光阻、電子束曝光（EBL）和聚焦離子束（FIB）處理以及細胞培養樣品制備等應用。
Multichip Arrays具有一個中央支撐件，設計適用於標準旋轉塗覆真空夾頭。Multichip的外圍犧牲邊緣被優化，以從SiNx膜設備中隔離旋轉塗覆邊緣珠效應，從而提高處理均一性。在實驗室內進行處理後，Multichip陣列可以輕鬆分割成單獨的晶片。 Multichips適用於標準3.0mm直徑TEM網格晶片，以及標準5mmx5mm和10mmx10mm的正方形框架X射線晶片。
多晶片式 SiNx 薄膜陣列系列規格
Multichip Arrays of 3mm dia. TEM frame SiNx Membranes, 200µm thick

Part Number	SiNx Thickness	Window Size Area	Additional Features
MC12-NT005A-LR	50nm	0.05×0.05mm	N/A
MC12-NT005Y-LR	20nm	0.05×0.05mm	N/A
MC12-NT005Y-AO/O-LR	20nm	0.05×0.05mm	U/L: 60nm SiOx
MC12E-NT005A-LR	50nm	0.05×0.05mm	EBL Alignment Marks
MC12E-NT005Y-LR	20nm	0.05×0.05mm	EBL Alignment Marks
MC12E-NT005Y-AO/O-LR	20nm	0.05×0.05mm	EBL Alignment Marks U/L: 60nm SiOx

Multichips Arrays of 5x5mm X-ray frame SiNx Membranes, 200µm thick

Part Number	SiNx Thickness	Window Size Area	Additional Features
MC8-NX5150A-LR	50nm	1.50×1.50mm	N/A
MC8-NX5150C-LR	100nm	1.50×1.50mm	N/A
MC8E-NX5150A-LR	50nm	1.50×1.50mm	EBL Alignment Marks
MC8E-NX5150C-LR	100nm	1.50×1.50mm	EBL Alignment Marks
MC8-NBPX5004Z-AO/O-HR	12nm	0.04×0.04mm	U/L: 60nm SiOX
MC8E-NBPX5004Z-AO/O-HR	12nm	0.04×0.04mm	EBL Alignment Marks U/L: 60nm SiOX