QDot™ PbS Quantum Dot n-type ink-量子點墨水

Quantum Solutions提供 Quantum Dot n-type ink-量子點n型墨水，專為製造高效SWIR(短波紅外線)光電二極體和影像感測器而設計。n-ink是負摻雜的，這意味著薄膜的功函數接近材料的導帶。Quantum Dot ink n-type具有多種優勢。首先，它消除了複雜的固體配體交換程序的需要。其次，它可以直接創建厚達100nm的厚且光滑的量子點吸收層。此層可使用旋塗或其他溶液處理方法等技術輕鬆沉積到基材上。多層沉積可達到所需的200-400nm厚度。此外，QDot™ PbS 量子點n-ink在墨水消耗方面具有卓越的成本效益。只需5 mL的這種墨水即可在大型200 mm晶圓上塗覆一層，使其成為短波紅外線光電二極體和影像感測器領域擴大生產流程的實用選擇。

QDot™ PbS Quantum Dot n-type ink-量子點墨水特點

．高效能溶液加工光電吸收奈米材料，用於短波紅外線 (SWIR) 光電探測器和影像感測器。
．透過旋塗製程在基板（CMOS 晶圓、矽或玻璃晶圓）上進行簡單的一步沉積，形成厚（80-100 nm）的量子點吸收層。無需配體交換過程。多層沉積可達到所需的 200-400 nm 厚度。
．材料消耗極為經濟，5 mL 足以在大型 200 mm 晶圓上塗覆一層。
．量子點尺寸範圍廣泛，涵蓋 4 至 12 nm 的產品，涵蓋 1000 nm 至 2500 nm 的吸光度截止值。
．窄粒徑分佈（STDV < 5-10%），用於形成緻密且無缺陷的量子點吸收層。

QDot™ PbS Quantum Dot n-type ink-量子點墨水系列規格

Core type：PbS
Doping polarity：n-type(Detailed energy levels can be provided upon purchasing the product.)

QDot™ Catalogue Number	Core size	Absorbance range	Absorption peak in SWIR range	Bandgap	Solid content
PbS-900-abs n-ink	3.2 nm	400-1000 nm	900 +/- 25 nm	1.22 eV	100 mg/mL
PbS-1000-abs n-ink	3.6 nm	400-1100 nm	1000 +/- 25 nm	1.11 eV	100 mg/mL
PbS-1100-abs n-ink	4.0 nm	400-1200 nm	1100 +/- 25 nm	1.04 eV	100 mg/mL
PbS-1200-abs n-ink	4.5 nm	400-1300 nm	1200 +/- 25 nm	0.96 eV	100 mg/mL
PbS-1300-abs n-ink	5.0 nm	400-1450 nm	1300 +/- 25 nm	0.89 eV	100 mg/mL
PbS-1400-abs n-ink	5.5 nm	400-1550 nm	1400 +/- 25 nm	0.84 eV	100 mg/mL
PbS-1500-abs n-ink	6.0 nm	400-1650 nm	1500 +/- 25 nm	0.79 eV	100 mg/mL
PbS-1600-abs n-ink	6.4 nm	400-1750 nm	1600 +/- 25 nm	0.75 eV	100 mg/mL
PbS-1700-abs n-ink	7.0 nm	400-1900 nm	1700 +/- 25 nm	0.71 eV	50 mg/mL
PbS-1800-abs n-ink	7.5 nm	400-2000 nm	1800 +/- 25 nm	0.67 eV	50 mg/mL
PbS-1900-abs n-ink	8.2 nm	400-2100 nm	1900 +/- 25 nm	0.64 eV	50 mg/mL
PbS-2000-abs n-ink	9.1 nm	400-2200 nm	2000 +/- 25 nm	0.61 eV	50 mg/mL
PbS-2100-abs n-ink	10.2 nm	400-2350 nm	2100 +/- 25 nm	0.59 eV	50 mg/mL
PbS-2200-abs n-ink	11.6 nm	400-2500 nm	2200 +/- 25 nm	0.56 eV	50 mg/mL