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光電感測器-Q.Eye™ SWIR
發布時間: 2023-10-18 10:46
Quantum solutions
光電感測器-Q.Eye™ SWIR-Photodetectors
Photodetectors光電感測器 Q.Eye™ SWIR集合了量子點膜層的單點光探測器樣品，Q.Eye™ SWIR光電感測器 操作波長範圍從可見光(400nm)到SWIR範圍皆可覆蓋，截止頻段可選擇900-2500nm任何波長。光電感測器 Q.Eye™ SWIR主要與傳統IR感測器(如PbS, PbSe, or InGaAs)差異，在於他們的工作原理。量子點探測器經過溶液處理並整合在Silicon CMOS基板上，可實踐量產在6”, 8”甚至更大的晶圓上的可能，這項特性使它們在經濟上適用於低成本和大規模應用，例如穿戴式裝置、行動裝置、汽車系統等。與傳統感測器相比，量子點感測器表現出特定的吸收曲線，可根據所使用的量子點尺寸（範圍從2 nm 到12 nm）進行調整，將吸收截止範圍從900 nm 調整到2500 nm。吸收峰的定義，取決於量子點的大小調整。初始評估樣品，伴隨5.6nm尺寸的量子點，產生吸收峰值在1450nm的特徵。其餘波長範圍的選擇，可依照您的需求進行調整，感測器工作面積為 0.1 mm x 0.1 mm，其他尺寸 (from 5 μm to 3 mm) 可依照需求進行諮詢。光電感測器尺寸為 3 x 3 mm在晶圓上，存在 4, 9, or 36獨立的Device。封裝為TO-5這種廣用的封裝形式。
光電感測器-Q.Eye™ SWIR 特點
- 經過溶液處理的化合物半導體 SWIR 感測器，單晶片整合在矽 CMOS 基板上，確保緊湊的設計、經濟的價格和大規模生產的潛力。
- 這些感測器具有出色的靈敏度，並具有微調靈敏度和暗電流之間的平衡的潛力。
- 此設計是可調的，吸光度範圍為 900 至 2500 nm，有效面積為 0.1 mm x 0.1 mm 至 3 mm x 3 mm，甚至更大。
光電感測器-Q.Eye™ SWIR
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