模組 | 參數 |
主體架構 |
主體尺寸:長× 寬× 高,約600 mm × 600 mm × 550 mm; 高承重三維電控底座:步進馬達位移行程:行程:X*Y*Z 120*120*40 mm;XY最小步進距離: 0.04 um, Z軸最小步進距離:~0.01 um;最大負載:> 10 Kg; 鋁合金整體架構; 光路整體移動:1. 光路移出以更換樣品;2. 大範圍尋找待測區域。 靠近磁鐵部分採用無磁性設計; |
顯微成像模組 |
尺寸:長 × 寬 × 高,約 550 mm × 550 mm × 145 mm; 可見光相機:20M pixels,15fps@5K ,50fps@1.8K, Sony 1 吋CMOS; 物鏡: 適配磁體,無磁性反射式物鏡或非球面透鏡; 照明光源: 科勒照明, LED面光源,亮度連續可調; 成像模組可電控完全移出光路,且不影響樣品面光斑位置。 |
MOKE&RMCD模組 |
外殼尺寸:長 × 寬 × 高,約 550 mm × 550 mm × 145 mm; 包含所需的外部設備:鎖相放大器; 低雜訊前放大探頭; 光彈調製器; 斬波器; 克爾角解析度: ~0.5 mdeg (~ 8.7mrad); 一次掃場同時獲得RMCD和MOKE資料; 電控切換成像與測試; 電控功率; Mapping功能,配合步進掃描台,或低溫設備內建壓電台。 |
Raman532&PL&SHG模組 |
外殼尺寸:長 × 寬 × 高,約 550 mm × 550 mm × 145 mm; 拉曼最低波數:< 80 cm-1; 空間解析度:300 nm (532 nm雷射); 電控偏振掃描:起偏&&檢偏,角度解析度0.0144 deg; 電控功率調整; Mapping功能,配合步進掃描台,或低溫設備內建壓電台。 |
532nm窄線寬雷射 MSL-U-532 |
中心波長:532nm+/-0.1 輸出功率:100mw 功率穩定性:2%(4 小時 RMS) M2:<1.2 線寬:<0.00001nm 光斑模式:TEM00 雜訊:<0.5% |
軟體 |
MOKE,RMCD,Raman,PL 掃描成像; 偏振掃描; 支援文字程式碼輸入,以實現自動化測試流程; |
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