Pillar Array(探針陣列) 特點

• 超高光學效率：nano pillar 設計使 NV 的光訊號放大超過 10 倍，且收集容易。
• 高密度 NV 點陣：鑽石薄膜提供十萬個以上的 NV 座標，並附初步性能地圖。
• 靈活客製：從深度、方向到同位素組成，支援多元需求。
• 應用廣泛：涵蓋單光子、量子感測與量子運算領域，是 NV 研究與應用的利器。

Pillar Array(探針陣列) 應用

• 適合 單光子源 (single photon sources)
• 高效 磁場感測
• 量子運算元件
• 表面與生物樣品感測（搭配反向激發與收集）
• 實驗定位容易、性能穩定，適用於高階實驗室整合

Pillar Array(探針陣列) 功能與用途

• 光學耦合提升：結合類拋物線結構設計，在 650 nm 長通濾光條件下吸收計數達到每秒百萬計數級（MCts/s），非常適合單光子源應用。
• 容易定位 NV：陣列規劃（36 個子陣列，每個 200×200 個 NV 位點），約 30% 為單一 NV，其中約 5% 屬於高效能 NV 測站，並提供初步表徵資料（map）以助實驗規劃。

Pillar Array(探針陣列) 技術規格

• NV 數量：整片陣列約含 10 萬個單 NV 中心。
• CW ODMR 對比度：15–25%；飽和計數率：1 MCts/s（使用 Mitutoyo 50× HR NA 0.75 物鏡）。
• 深度選項：
o 淺層：約 8 nm，適合表面感測如奈米 NMR；
o 中層：約 50–100 nm，更適合量子光源、磁場感測或量子運算應用。
• 相干時間： o Hahn Echo T₂ 約為 3 μs（淺層），中層數值由客製要求決定。

Pillar Array(探針陣列) 下單與客製選項