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2-MGEM光學各向異性因子測量系統
發布時間: 2025-07-29 09:11
Hinds Instruments
2-MGEM光學各向異性因子測量系統
與橡樹嶺國家實驗室合作開發的新儀器，推動了第四代核燃料及反射偏振特性的研究進展。2-MGEM光學各向異性因子測量系統是一款正入射偏振反射顯微鏡，設計用於測量樣品的Mueller矩陣，榮獲2008年R&D 100獎。 該系統專為評估TRISO核燃料熱解碳層截面的光學各向異性因子（OPTAF）而設計。其他可能的材料表徵包括測量其他晶體、碳化合物及薄膜塗層（如表面沉積膜）的Mueller矩陣元素，均在正入射條件下進行。2-MGEM還可測量遲滯（d）、圓形雙折射（CD）和偏振因子（ß）。這些參數無法使用舊技術測量，因為舊技術未包含補償光學元件。請聯繫我們以了解更多關於2-MGEM系統的資訊，以及Hinds Instruments如何與客戶合作解決複雜的計量問題。測量TRISO：
了解TRISO內層熱解碳（IPyC）和外層熱解碳（OPyC）塗層中石墨的優先取向，可識別導致容器過早失效的形成取向問題。(由UT-Battelle, LLC授權，根據專利許可協議第972號。)
2-MGEM光學各向異性因子測量系統 特點
- 無需樣品旋轉：測量過程無需旋轉樣品，簡化操作流程。
- 二維數據成像：2-MGEM以x和y位置為函數採集數據，可建構多種測量參數的影像。相較之下，傳統技術僅能測量單點數據。
- 光學解析度高：光學解析度小於4微米，提供高精細測量。
- 多參數測量：2-MGEM可測量8個參數，並可簡化為雙折射（N）與主方向。傳統技術無法同時測量這些參數。
- 超高精度：2-MGEM對每個參數的測量精度約為0.001，而先前OPTAF測量精度僅為0.01，2-MGEM精度高出10倍。此高精度至關重要，因為製程條件引起的雙折射變化通常僅為0.002。
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