Inversion Layer紫外增強反轉通道型光電探測器
發布時間: 2020-06-05 12:20
OSI
Inversion Layer UV Enhanced Photodiodes 紫外增強反轉通道型光電探測器
紫外增強提供兩種截然不同的矽光二極體︰反轉通道型和平面擴散型。這兩款器件都是針對電磁波頻譜中的紫外波段特殊設計的,有很低的探測噪聲。反轉通道型架構的紫外增強型光電二極體,具有100%的內部量子效率,非常適合弱光測量。它們有很高的結電阻、低噪聲和高截止電壓。採用5V到10V的反向偏置,將極大地改善表面響應一致性和量子效率。在光伏模式下(非偏置),電容值比擴散型器件高;但一旦採用反向偏置,電容值將快速降低。與平面擴散型器件相比,反轉通道型有較低的非線性光電流。在700nm以下波段,它們的響應度隨溫度的變化很小。
反轉通道型非常適合低強度的光量測
Inversion Layer UV Enhanced Photodiodes 型號
UV-001
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UV-005
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UV-015
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UV-20
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UV-35
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UV-50
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UV-50L
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UV-100
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UV-100L
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UV-35P
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FIL-UV50
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紫外增強反轉通道型光電探測器 特點
紫外增強反轉通道型光電探測器 應用
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污染監測
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紫外螢光
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紫外線測試
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水質淨化
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紫外線驗鈔
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醫療設備
Inversion Layer紫外增強反轉通道型光電探測器