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High Speed InGaAs Photodiodes高速銦鎵砷光電探測器
    發布時間: 2020-06-08 11:27    
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High Speed InGaAs Photodiodes-高速銦鎵砷光電探測器 ∣ OSI

High Speed InGaAs Photodiodes工作面積75，120，300，400，500（微米）主要應用於數據電信傳播和通訊傳播在1100--1620（奈米）區間有高響應性，低內電容，低暗電流應用在高速通訊系統有三極金屬封裝或一個針狀封裝藉著AR 窗形塗裝和微鏡頭加強耦合效率原廠附有FC，SC，ST，SMA插座。
High Speed InGaAs Photodiodes高速銦鎵砷光電探測器 型號
FCI-InGaAs-75、FCI-InGaAs-120、FCI-InGaAs-300、FCI-InGaAs-400、FCI-InGaAs-500
High Speed InGaAs Photodiodes高速銦鎵砷光電探測器 特點
  • 高速
  • 高響應
  • 低雜訊
  • 光譜範圍 900nm to 1700nm
High Speed InGaAs Photodiodes高速銦鎵砷光電探測器 應用
  • 高速光通訊
  • 單/多模 光纖接收器
  • Gigabit 乙太網 / 光纖頻道
  • SONET/SDH, ATM
  • 光分路器
High Speed InGaAs Photodiodes高速銦鎵砷光電探測器
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